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台积电3纳米工艺良率突破90% 加速苹果M3芯片量产 破加英伟达等加速订单

餐霞饮瀣网2026-06-18 10:31:55【娱乐】2人已围观

简介据半导体行业最新消息，台积电3纳米N3）工艺良率已突破90%大关，较此前70%左右的水平大幅跃升。这一里程碑意味着台积电在先进制程量产上取得关键突破，有望显著降低芯片成本并扩大产能。业内人士指出，良率

台积电3纳米工艺良率突破90% 加速苹果M3芯片量产 破加英伟达等加速订单
良率突破将使苹果M3芯片的台积量产进度大幅提前，电纳来源：Digitimes 业内人士指出，米工台积电N3工艺在晶体管密度和能效比上相比N5提升约30%，艺良有望显著降低芯片成本并扩大产能。率突量产据半导体行业最新消息，破加英伟达等加速订单。速苹台积电3纳米（N3）工艺良率已突破90%大关，芯片这一里程碑意味着台积电在先进制程量产上取得关键突破，台积较此前70%左右的电纳水平大幅跃升。此次良率达标将吸引更多客户如AMD、米工预计2024年下半年搭载该芯片的艺良新款MacBook Pro将如期上市。

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